银焊丝回收提纯方法和银浆回收差别
2022-12-09 06:44:31 4223次浏览
银焊丝回收提纯方法。
1,沉积银焊:在含银焊的废液中,参加过量的氯化钠,使银焊沉积彻底,然后过滤,洗刷,抽干。
2,复原银粉:把所得AgCl沉积,放入烧杯中,埋铁片子于AgCl沉积中,再加浓盐酸淹盖之,然后加钯碳回收热至欢腾,同时拌和,至白色AgCl沉积全变成灰白色的银粉停止(大概需1小时左右)。
3,洗刷银粉:取出剩余铁片,减压过滤,先用自来水洗刷两次,再用蒸馏水洗,洗至无氯离子停止再抽干。
4,烘干银粉:把所得银法银浆回收移至瓷蒸发皿中,置石棉网上加热烘干,即得粗制银粉。
5,净制银粉:(1)溶解:将粗制银粉分次参加稀硝酸进行溶解,反响有大量二氧化氮(NO2)产生,待反响缓慢时,再参加第二批,待银粉快要溶完时,银焊条回收置于石棉网上加热,并拌和之,使反响彻底,(2)过滤:把所制得的硝酸银,用1-1.5倍体积的蒸馏水稀释,然后过滤,并用蒸馏水少数屡次地把烧杯及滤纸充沛洗刷,并把洗液滤入同一容器中,(3)提纯:将上面所得硝酸银滤液再用蒸馏水进行稀镀金回收释(使硝酸银溶液的浓度小于5%),然后参加紫铜,静置过夜,以便置换充沛进行。
拌和后,待银粉悉数沉积,倾去上层硝酸铜溶液,检出残剩铜,减压过滤,反复用蒸馏水洗至无铜离子停止,然后将银粉抽干,移入蒸发皿中,置石铂铑丝回收棉网上加热烘干,即得有光泽的纯银粉,含银量可达99.9%以上。
银焊条回收和银浆回收的差别。
一般情况下,银浆其实比银焊条提取的银应该更多,因为银焊条里面的焊芯就存在银焊条整个很大的分量,而银焊条只是焊芯的表钯粉回收面那些银才是有价值的部分,基本上除去银焊条里面的焊芯之后就没有多少分量了,而银浆几乎大部分都是银,先不说纯银有多少,至少它的银含量是比前者大的,然后,银焊条与银浆的收取价格其实是差不多的,但是他们的提炼方式不一样。
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纯度等级:核心指标,以 “N” 表示(1N=99%),区熔锗锭主流为 6N~8N,高端半导体应用需 9N 级超高纯锗锭,杂质总量≤0.1ppm。电学性能:电阻率(25℃时)需符合标准,6N 锗锭电阻率通常为 47~53Ω・cm,纯度越高电阻
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光纤通信领域:锗锭加工为锗粉或 GeCl₄,作为光纤芯层的掺杂剂,可提升光纤的折射率和传输性能,是通信光纤的关键原料之一。其他应用:低纯度锗锭用于生产锗合金(如锗铜、锗铝合金),提升材料的强度和耐腐蚀性;高纯锗锭还用于核辐射探测器、半导体掺
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化学杂质:重点控制 O、C、Fe、Cu、Ni、Si 等杂质,其中 O 含量需≤5ppm(避免影响晶体导电性),重金属杂质≤0.1ppm。资源与产能:锗为稀缺分散元素,全球探明储量约 8600 吨,中国储量占比 41%,是全球的锗生产国(20
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光纤通信领域:锗锭加工为锗粉或 GeCl₄,作为光纤芯层的掺杂剂,可提升光纤的折射率和传输性能,是通信光纤的关键原料之一。江苏锦鑫贵金属回收冶炼有限公司(回收热线:18807413813)是一家规模较大、资金雄厚的贵金属物资回收公司。面向全
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纯度等级:核心指标,以 “N” 表示(1N=99%),区熔锗锭主流为 6N~8N,高端半导体应用需 9N 级超高纯锗锭,杂质总量≤0.1ppm。市场需求:随着红外探测、5G 通信、半导体芯片等行业的发展,高纯度区熔锗锭需求持续增长,尤其是
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半导体与电子领域:6N 以上区熔锗锭是制备锗单晶的核心原料,进一步加工为锗晶圆,用于制造高速晶体管、光电探测器、红外传感器等,广泛应用于航天、军工、5G 通信等高端场景。首饰厂:抛光打磨粉,地毯,洗手池等废料;印刷厂:印刷废菲林、X光片、定
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晶体结构:区熔锗锭需为定向结晶的多晶或准单晶,晶粒尺寸均匀(通常≥5mm),无明显裂纹、缩孔、夹杂等缺陷。外观与尺寸:银灰色金属光泽,表面无氧化斑、油污,截面呈梯形或矩形,长度通常为 300~600mm,直径 / 宽度根据应用定制。其他应用
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化学杂质:重点控制 O、C、Fe、Cu、Ni、Si 等杂质,其中 O 含量需≤5ppm(避免影响晶体导电性),重金属杂质≤0.1ppm。红外光学领域:高纯度锗锭经切片、抛光后,制成红外光学镜片、窗口材料,具有优异的红外透过率(2~14μm
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光纤通信领域:锗锭加工为锗粉或 GeCl₄,作为光纤芯层的掺杂剂,可提升光纤的折射率和传输性能,是通信光纤的关键原料之一。江苏锦鑫贵金属回收冶炼有限公司(回收热线:18807413813)是一家规模较大、资金雄厚的贵金属物资回收公司。面向全
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外观与尺寸:银灰色金属光泽,表面无氧化斑、油污,截面呈梯形或矩形,长度通常为 300~600mm,直径 / 宽度根据应用定制。红外光学领域:高纯度锗锭经切片、抛光后,制成红外光学镜片、窗口材料,具有优异的红外透过率(2~14μm 波段透过率
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其他应用:低纯度锗锭用于生产锗合金(如锗铜、锗铝合金),提升材料的强度和耐腐蚀性;高纯锗锭还用于核辐射探测器、半导体掺杂靶材等特种场景。市场需求:随着红外探测、5G 通信、半导体芯片等行业的发展,高纯度区熔锗锭需求持续增长,尤其是 8N 级
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外观与尺寸:银灰色金属光泽,表面无氧化斑、油污,截面呈梯形或矩形,长度通常为 300~600mm,直径 / 宽度根据应用定制。技术趋势:未来将聚焦于 “提升纯度 + 降低成本”,如开发多场耦合区熔技术(电磁 + 温度梯度)、优化熔区参数控制
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纯度等级:核心指标,以 “N” 表示(1N=99%),区熔锗锭主流为 6N~8N,高端半导体应用需 9N 级超高纯锗锭,杂质总量≤0.1ppm。外观与尺寸:银灰色金属光泽,表面无氧化斑、油污,截面呈梯形或矩形,长度通常为 300~600mm
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晶体结构:区熔锗锭需为定向结晶的多晶或准单晶,晶粒尺寸均匀(通常≥5mm),无明显裂纹、缩孔、夹杂等缺陷。其他应用:低纯度锗锭用于生产锗合金(如锗铜、锗铝合金),提升材料的强度和耐腐蚀性;高纯锗锭还用于核辐射探测器、半导体掺杂靶材等特种场景
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外观与尺寸:银灰色金属光泽,表面无氧化斑、油污,截面呈梯形或矩形,长度通常为 300~600mm,直径 / 宽度根据应用定制。其他应用:低纯度锗锭用于生产锗合金(如锗铜、锗铝合金),提升材料的强度和耐腐蚀性;高纯锗锭还用于核辐射探测器、半导
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晶体结构:区熔锗锭需为定向结晶的多晶或准单晶,晶粒尺寸均匀(通常≥5mm),无明显裂纹、缩孔、夹杂等缺陷。红外光学领域:高纯度锗锭经切片、抛光后,制成红外光学镜片、窗口材料,具有优异的红外透过率(2~14μm 波段透过率≥40%),用于红外
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技术趋势:未来将聚焦于 “提升纯度 + 降低成本”,如开发多场耦合区熔技术(电磁 + 温度梯度)、优化熔区参数控制算法,实现 9N 级锗锭的规模化生产;同时,锗资源的回收利用(如从废旧光纤、半导体器件中回收锗)将成为重要发展方向,缓解资源短
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半导体与电子领域:6N 以上区熔锗锭是制备锗单晶的核心原料,进一步加工为锗晶圆,用于制造高速晶体管、光电探测器、红外传感器等,广泛应用于航天、军工、5G 通信等高端场景。其他应用:低纯度锗锭用于生产锗合金(如锗铜、锗铝合金),提升材料的强度
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技术趋势:未来将聚焦于 “提升纯度 + 降低成本”,如开发多场耦合区熔技术(电磁 + 温度梯度)、优化熔区参数控制算法,实现 9N 级锗锭的规模化生产;同时,锗资源的回收利用(如从废旧光纤、半导体器件中回收锗)将成为重要发展方向,缓解资源短
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其他应用:低纯度锗锭用于生产锗合金(如锗铜、锗铝合金),提升材料的强度和耐腐蚀性;高纯锗锭还用于核辐射探测器、半导体掺杂靶材等特种场景。市场需求:随着红外探测、5G 通信、半导体芯片等行业的发展,高纯度区熔锗锭需求持续增长,尤其是 8N 级