无锡铑金回收,累计多年回收经验
2026-02-03 04:39:01 1485次浏览
价 格:面议
铑 (Rhodium),是一种银白色、坚硬的金属,具有高反射率。铑金属通常不会形成氧化物,熔融的铑会吸收氧气,但在凝固的过程中释放。铑的熔点比铂高,密度比铂低。铑不溶于多数酸,它完全不溶于硝酸,稍溶于王水。元素符号Rh,源自rhodon,意为“玫瑰”,因为铑盐的溶液呈现玫瑰的淡红色彩,1803年被武拉斯顿发现并分离。铑属铂系元素。
铟是一种银灰色,质地极软的易熔金属。熔点156.61℃。沸点2060℃。相对密度d7.30。液态铟能浸润玻璃,并且会粘附在接触过的表面上留下黑色的痕迹。
铟有微弱的放射性,天然铟有两种主要同位素,其一为In-113为稳定核素,In-115为β- 衰变。因此,在使用中尽可能避免直接接触。
在自然界中未曾发现过游离态的铟单质,1863年,德国的赖希和李希特,用光谱法研究闪锌矿,发现新的元素,即铟。
铊被发现和取得后,德国弗赖贝格(Freiberg)矿业学院物理学教授赖希由于对铊的一些性质感兴趣,希望得到足够的金属进行实验研究。于是他在1863年开始在夫赖堡希曼尔斯夫斯特出产的锌矿中寻找这种金属。这种矿石所含主要成分是含砷的黄铁矿、闪锌矿、辉铅矿、硅土、锰、铜和少量的锡、镉等。赖希认为其中还可能含有铊。虽然实验花费了很多时间,他却没有获得期望的元素。但是他得到了一种不知成分的草黄色沉淀物。他认为是一种新元素的硫化物。
回收主营项目种类;精铟,铟块,碎铟渣,ITO靶材,ITO靶粉,喷砂料,各种含量铟废料。
铟锭主要用于ITO靶材行业,这一用途是铟锭的主要消费领域,占全球铟消费量的84%。铟70%用于制造铟锡氧化物靶材(ITO),ITO用于制造液晶显示器(LCD),因此铟是制造液晶显示屏(LCD)的重要材料。为避免铟的流失,保护地球日渐枯竭的矿产资源,金属铟回收再生利用显得尤为重要。
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金属回收是指从废旧金属中分离出来的有用物质经过物理或机械加工成为再生利用的制品,是从回收、拆解、到再生利用的一条产业链。金属回收产业形成了一个完整的产业链及再生利用生态圈。这个产业链从国外废料供货商开始,经过贸易商、进口商、代理商、港口、拆
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纯度等级:核心指标,以 “N” 表示(1N=99%),区熔锗锭主流为 6N~8N,高端半导体应用需 9N 级超高纯锗锭,杂质总量≤0.1ppm。电学性能:电阻率(25℃时)需符合标准,6N 锗锭电阻率通常为 47~53Ω・cm,纯度越高电阻
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光纤通信领域:锗锭加工为锗粉或 GeCl₄,作为光纤芯层的掺杂剂,可提升光纤的折射率和传输性能,是通信光纤的关键原料之一。其他应用:低纯度锗锭用于生产锗合金(如锗铜、锗铝合金),提升材料的强度和耐腐蚀性;高纯锗锭还用于核辐射探测器、半导体掺
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化学杂质:重点控制 O、C、Fe、Cu、Ni、Si 等杂质,其中 O 含量需≤5ppm(避免影响晶体导电性),重金属杂质≤0.1ppm。资源与产能:锗为稀缺分散元素,全球探明储量约 8600 吨,中国储量占比 41%,是全球的锗生产国(20
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光纤通信领域:锗锭加工为锗粉或 GeCl₄,作为光纤芯层的掺杂剂,可提升光纤的折射率和传输性能,是通信光纤的关键原料之一。江苏锦鑫贵金属回收冶炼有限公司(回收热线:18807413813)是一家规模较大、资金雄厚的贵金属物资回收公司。面向全
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纯度等级:核心指标,以 “N” 表示(1N=99%),区熔锗锭主流为 6N~8N,高端半导体应用需 9N 级超高纯锗锭,杂质总量≤0.1ppm。市场需求:随着红外探测、5G 通信、半导体芯片等行业的发展,高纯度区熔锗锭需求持续增长,尤其是
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半导体与电子领域:6N 以上区熔锗锭是制备锗单晶的核心原料,进一步加工为锗晶圆,用于制造高速晶体管、光电探测器、红外传感器等,广泛应用于航天、军工、5G 通信等高端场景。首饰厂:抛光打磨粉,地毯,洗手池等废料;印刷厂:印刷废菲林、X光片、定
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晶体结构:区熔锗锭需为定向结晶的多晶或准单晶,晶粒尺寸均匀(通常≥5mm),无明显裂纹、缩孔、夹杂等缺陷。外观与尺寸:银灰色金属光泽,表面无氧化斑、油污,截面呈梯形或矩形,长度通常为 300~600mm,直径 / 宽度根据应用定制。其他应用
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化学杂质:重点控制 O、C、Fe、Cu、Ni、Si 等杂质,其中 O 含量需≤5ppm(避免影响晶体导电性),重金属杂质≤0.1ppm。红外光学领域:高纯度锗锭经切片、抛光后,制成红外光学镜片、窗口材料,具有优异的红外透过率(2~14μm
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光纤通信领域:锗锭加工为锗粉或 GeCl₄,作为光纤芯层的掺杂剂,可提升光纤的折射率和传输性能,是通信光纤的关键原料之一。江苏锦鑫贵金属回收冶炼有限公司(回收热线:18807413813)是一家规模较大、资金雄厚的贵金属物资回收公司。面向全
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外观与尺寸:银灰色金属光泽,表面无氧化斑、油污,截面呈梯形或矩形,长度通常为 300~600mm,直径 / 宽度根据应用定制。红外光学领域:高纯度锗锭经切片、抛光后,制成红外光学镜片、窗口材料,具有优异的红外透过率(2~14μm 波段透过率
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其他应用:低纯度锗锭用于生产锗合金(如锗铜、锗铝合金),提升材料的强度和耐腐蚀性;高纯锗锭还用于核辐射探测器、半导体掺杂靶材等特种场景。市场需求:随着红外探测、5G 通信、半导体芯片等行业的发展,高纯度区熔锗锭需求持续增长,尤其是 8N 级
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外观与尺寸:银灰色金属光泽,表面无氧化斑、油污,截面呈梯形或矩形,长度通常为 300~600mm,直径 / 宽度根据应用定制。技术趋势:未来将聚焦于 “提升纯度 + 降低成本”,如开发多场耦合区熔技术(电磁 + 温度梯度)、优化熔区参数控制
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纯度等级:核心指标,以 “N” 表示(1N=99%),区熔锗锭主流为 6N~8N,高端半导体应用需 9N 级超高纯锗锭,杂质总量≤0.1ppm。外观与尺寸:银灰色金属光泽,表面无氧化斑、油污,截面呈梯形或矩形,长度通常为 300~600mm
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晶体结构:区熔锗锭需为定向结晶的多晶或准单晶,晶粒尺寸均匀(通常≥5mm),无明显裂纹、缩孔、夹杂等缺陷。其他应用:低纯度锗锭用于生产锗合金(如锗铜、锗铝合金),提升材料的强度和耐腐蚀性;高纯锗锭还用于核辐射探测器、半导体掺杂靶材等特种场景
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外观与尺寸:银灰色金属光泽,表面无氧化斑、油污,截面呈梯形或矩形,长度通常为 300~600mm,直径 / 宽度根据应用定制。其他应用:低纯度锗锭用于生产锗合金(如锗铜、锗铝合金),提升材料的强度和耐腐蚀性;高纯锗锭还用于核辐射探测器、半导
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晶体结构:区熔锗锭需为定向结晶的多晶或准单晶,晶粒尺寸均匀(通常≥5mm),无明显裂纹、缩孔、夹杂等缺陷。红外光学领域:高纯度锗锭经切片、抛光后,制成红外光学镜片、窗口材料,具有优异的红外透过率(2~14μm 波段透过率≥40%),用于红外
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技术趋势:未来将聚焦于 “提升纯度 + 降低成本”,如开发多场耦合区熔技术(电磁 + 温度梯度)、优化熔区参数控制算法,实现 9N 级锗锭的规模化生产;同时,锗资源的回收利用(如从废旧光纤、半导体器件中回收锗)将成为重要发展方向,缓解资源短
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半导体与电子领域:6N 以上区熔锗锭是制备锗单晶的核心原料,进一步加工为锗晶圆,用于制造高速晶体管、光电探测器、红外传感器等,广泛应用于航天、军工、5G 通信等高端场景。其他应用:低纯度锗锭用于生产锗合金(如锗铜、锗铝合金),提升材料的强度
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技术趋势:未来将聚焦于 “提升纯度 + 降低成本”,如开发多场耦合区熔技术(电磁 + 温度梯度)、优化熔区参数控制算法,实现 9N 级锗锭的规模化生产;同时,锗资源的回收利用(如从废旧光纤、半导体器件中回收锗)将成为重要发展方向,缓解资源短