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苏州钽铌回收中心，现款结算，值得信赖
2026-02-24 01:54:01 1263次浏览
价 格：面议
钽主要存在于钽铁矿中，同铌共生。钽的硬度适中，富有延展性，可以拉成细丝式制薄箔。其热膨胀系数很小。钽有非常出色的化学性质，具有极高的抗腐蚀性。可用来制造蒸发器皿等，也可做电子管的电极、整流器、电解电容。医疗上用来制成薄片或细线，缝补破坏的组织。虽然钽的抗腐蚀性很强，但是其抗腐蚀性是由于表面生成稳定的五氧化二钽（Ta₂O₅）保护膜。
铌，化学符号Nb，是一种带光泽的灰色金属，具有顺磁性，原子序数41，原子量92.90638，属于元素周期表上的ⅤB族。1801年英国C.哈切特从铌铁矿中分离出一种新元素的氧化物，并命名该元素为columbium（中译名钶）。熔点2468℃，沸点4742℃，密度8.57g/cm³。高纯度铌金属的延展性较高，但会随杂质含量的增加而变硬。铌对于热中子的捕获截面很低，因此在核工业上有相当的用处。
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纯度等级：核心指标，以 “N” 表示（1N=99%），区熔锗锭主流为 6N~8N，高端半导体应用需 9N 级超高纯锗锭，杂质总量≤0.1ppm。电学性能：电阻率（25℃时）需符合标准，6N 锗锭电阻率通常为 47~53Ω・cm，纯度越高电阻26-01-26 13:30:01 -
光纤通信领域：锗锭加工为锗粉或 GeCl₄，作为光纤芯层的掺杂剂，可提升光纤的折射率和传输性能，是通信光纤的关键原料之一。其他应用：低纯度锗锭用于生产锗合金（如锗铜、锗铝合金），提升材料的强度和耐腐蚀性；高纯锗锭还用于核辐射探测器、半导体掺26-01-26 13:27:01 -
化学杂质：重点控制 O、C、Fe、Cu、Ni、Si 等杂质，其中 O 含量需≤5ppm（避免影响晶体导电性），重金属杂质≤0.1ppm。资源与产能：锗为稀缺分散元素，全球探明储量约 8600 吨，中国储量占比 41%，是全球的锗生产国（2026-01-26 13:24:02 -
光纤通信领域：锗锭加工为锗粉或 GeCl₄，作为光纤芯层的掺杂剂，可提升光纤的折射率和传输性能，是通信光纤的关键原料之一。江苏锦鑫贵金属回收冶炼有限公司（回收热线：18807413813）是一家规模较大、资金雄厚的贵金属物资回收公司。面向全26-01-26 13:21:01 -
纯度等级：核心指标，以 “N” 表示（1N=99%），区熔锗锭主流为 6N~8N，高端半导体应用需 9N 级超高纯锗锭，杂质总量≤0.1ppm。市场需求：随着红外探测、5G 通信、半导体芯片等行业的发展，高纯度区熔锗锭需求持续增长，尤其是26-01-26 13:18:01 -
半导体与电子领域：6N 以上区熔锗锭是制备锗单晶的核心原料，进一步加工为锗晶圆，用于制造高速晶体管、光电探测器、红外传感器等，广泛应用于航天、军工、5G 通信等高端场景。首饰厂：抛光打磨粉，地毯，洗手池等废料；印刷厂：印刷废菲林、X光片、定26-01-26 13:15:01 -
晶体结构：区熔锗锭需为定向结晶的多晶或准单晶，晶粒尺寸均匀（通常≥5mm），无明显裂纹、缩孔、夹杂等缺陷。外观与尺寸：银灰色金属光泽，表面无氧化斑、油污，截面呈梯形或矩形，长度通常为 300~600mm，直径 / 宽度根据应用定制。其他应用26-01-26 13:12:01 -
化学杂质：重点控制 O、C、Fe、Cu、Ni、Si 等杂质，其中 O 含量需≤5ppm（避免影响晶体导电性），重金属杂质≤0.1ppm。红外光学领域：高纯度锗锭经切片、抛光后，制成红外光学镜片、窗口材料，具有优异的红外透过率（2~14μm26-01-26 13:09:01 -
光纤通信领域：锗锭加工为锗粉或 GeCl₄，作为光纤芯层的掺杂剂，可提升光纤的折射率和传输性能，是通信光纤的关键原料之一。江苏锦鑫贵金属回收冶炼有限公司（回收热线：18807413813）是一家规模较大、资金雄厚的贵金属物资回收公司。面向全26-01-26 13:06:01 -
外观与尺寸：银灰色金属光泽，表面无氧化斑、油污，截面呈梯形或矩形，长度通常为 300~600mm，直径 / 宽度根据应用定制。红外光学领域：高纯度锗锭经切片、抛光后，制成红外光学镜片、窗口材料，具有优异的红外透过率（2~14μm 波段透过率26-01-26 13:03:01
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其他应用：低纯度锗锭用于生产锗合金（如锗铜、锗铝合金），提升材料的强度和耐腐蚀性；高纯锗锭还用于核辐射探测器、半导体掺杂靶材等特种场景。市场需求：随着红外探测、5G 通信、半导体芯片等行业的发展，高纯度区熔锗锭需求持续增长，尤其是 8N 级26-01-26 13:00:01
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外观与尺寸：银灰色金属光泽，表面无氧化斑、油污，截面呈梯形或矩形，长度通常为 300~600mm，直径 / 宽度根据应用定制。技术趋势：未来将聚焦于 “提升纯度 + 降低成本”，如开发多场耦合区熔技术（电磁 + 温度梯度）、优化熔区参数控制26-01-26 12:57:01 -
纯度等级：核心指标，以 “N” 表示（1N=99%），区熔锗锭主流为 6N~8N，高端半导体应用需 9N 级超高纯锗锭，杂质总量≤0.1ppm。外观与尺寸：银灰色金属光泽，表面无氧化斑、油污，截面呈梯形或矩形，长度通常为 300~600mm26-01-26 12:54:01 -
晶体结构：区熔锗锭需为定向结晶的多晶或准单晶，晶粒尺寸均匀（通常≥5mm），无明显裂纹、缩孔、夹杂等缺陷。其他应用：低纯度锗锭用于生产锗合金（如锗铜、锗铝合金），提升材料的强度和耐腐蚀性；高纯锗锭还用于核辐射探测器、半导体掺杂靶材等特种场景26-01-26 12:51:01 -
外观与尺寸：银灰色金属光泽，表面无氧化斑、油污，截面呈梯形或矩形，长度通常为 300~600mm，直径 / 宽度根据应用定制。其他应用：低纯度锗锭用于生产锗合金（如锗铜、锗铝合金），提升材料的强度和耐腐蚀性；高纯锗锭还用于核辐射探测器、半导26-01-26 12:48:01 -
晶体结构：区熔锗锭需为定向结晶的多晶或准单晶，晶粒尺寸均匀（通常≥5mm），无明显裂纹、缩孔、夹杂等缺陷。红外光学领域：高纯度锗锭经切片、抛光后，制成红外光学镜片、窗口材料，具有优异的红外透过率（2~14μm 波段透过率≥40%），用于红外26-01-26 12:45:01
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技术趋势：未来将聚焦于 “提升纯度 + 降低成本”，如开发多场耦合区熔技术（电磁 + 温度梯度）、优化熔区参数控制算法，实现 9N 级锗锭的规模化生产；同时，锗资源的回收利用（如从废旧光纤、半导体器件中回收锗）将成为重要发展方向，缓解资源短26-01-26 12:42:01 -
半导体与电子领域：6N 以上区熔锗锭是制备锗单晶的核心原料，进一步加工为锗晶圆，用于制造高速晶体管、光电探测器、红外传感器等，广泛应用于航天、军工、5G 通信等高端场景。其他应用：低纯度锗锭用于生产锗合金（如锗铜、锗铝合金），提升材料的强度26-01-26 12:39:01 -
技术趋势：未来将聚焦于 “提升纯度 + 降低成本”，如开发多场耦合区熔技术（电磁 + 温度梯度）、优化熔区参数控制算法，实现 9N 级锗锭的规模化生产；同时，锗资源的回收利用（如从废旧光纤、半导体器件中回收锗）将成为重要发展方向，缓解资源短26-01-26 12:36:01 -
其他应用：低纯度锗锭用于生产锗合金（如锗铜、锗铝合金），提升材料的强度和耐腐蚀性；高纯锗锭还用于核辐射探测器、半导体掺杂靶材等特种场景。市场需求：随着红外探测、5G 通信、半导体芯片等行业的发展，高纯度区熔锗锭需求持续增长，尤其是 8N 级26-01-26 12:33:01