南京铟靶片回收,诚信经营,量大价更优
2026-01-26 05:22:01 282次浏览
价 格:面议
ITO靶材的回收价格受多种因素影响,包括铟的市场价格、靶材的纯度、回收企业的技术水平等。一般来说,铟的市场价格越高,ITO靶材的回收价格也就越高。同时,靶材的纯度越高,回收价值也就越大。
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ITO(Indium Tin Oxide,氧化铟锡)靶材是一种广泛用于透明导电薄膜材料制备的复合氧化物材料,其主要成分为氧化铟(In₂O₃)和氧化锡(SnO₂)。通常,ITO靶材中氧化铟与氧化锡的质量比例为90:10,这一比例在实际应用中表现出较为理想的光电特性,使其在透明导电薄膜中广泛应用。
它的应用主要集中在以下几个领域:
显示技术:ITO薄膜用于LCD、OLED等显示器件中的透明电极,确保设备既能透光显示图像,又能导电传输信号。
触控技术:电容式和电阻式触摸屏使用ITO作为电极材料,其透明性和导电性决定了触控设备的灵敏度和视觉效果。
光伏技术:ITO薄膜作为太阳能电池的前电极材料,具有高透明性,能够保证光线有效进入吸收层,从而提升光电转换效率。
智能建筑与汽车应用:智能窗、加热膜等系统中也使用ITO薄膜,其良好的导电性和耐环境稳定性使其在智能玻璃和汽车加热玻璃等应用中表现出色。
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镀金回收是一种金属回收和再利用的过程,它涉及将金属表面的金属层去除,以便金属可以重新使用或回收利用。金属镀金是一种常见的表面处理技术,它在不同的应用领域中被广泛采用,包括珠宝、工艺品、电子设备和家具等。 镀金通常通过在金属表面涂上一层薄薄的
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纯度等级:核心指标,以 “N” 表示(1N=99%),区熔锗锭主流为 6N~8N,高端半导体应用需 9N 级超高纯锗锭,杂质总量≤0.1ppm。电学性能:电阻率(25℃时)需符合标准,6N 锗锭电阻率通常为 47~53Ω・cm,纯度越高电阻
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光纤通信领域:锗锭加工为锗粉或 GeCl₄,作为光纤芯层的掺杂剂,可提升光纤的折射率和传输性能,是通信光纤的关键原料之一。其他应用:低纯度锗锭用于生产锗合金(如锗铜、锗铝合金),提升材料的强度和耐腐蚀性;高纯锗锭还用于核辐射探测器、半导体掺
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化学杂质:重点控制 O、C、Fe、Cu、Ni、Si 等杂质,其中 O 含量需≤5ppm(避免影响晶体导电性),重金属杂质≤0.1ppm。资源与产能:锗为稀缺分散元素,全球探明储量约 8600 吨,中国储量占比 41%,是全球的锗生产国(20
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光纤通信领域:锗锭加工为锗粉或 GeCl₄,作为光纤芯层的掺杂剂,可提升光纤的折射率和传输性能,是通信光纤的关键原料之一。江苏锦鑫贵金属回收冶炼有限公司(回收热线:18807413813)是一家规模较大、资金雄厚的贵金属物资回收公司。面向全
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纯度等级:核心指标,以 “N” 表示(1N=99%),区熔锗锭主流为 6N~8N,高端半导体应用需 9N 级超高纯锗锭,杂质总量≤0.1ppm。市场需求:随着红外探测、5G 通信、半导体芯片等行业的发展,高纯度区熔锗锭需求持续增长,尤其是
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半导体与电子领域:6N 以上区熔锗锭是制备锗单晶的核心原料,进一步加工为锗晶圆,用于制造高速晶体管、光电探测器、红外传感器等,广泛应用于航天、军工、5G 通信等高端场景。首饰厂:抛光打磨粉,地毯,洗手池等废料;印刷厂:印刷废菲林、X光片、定
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晶体结构:区熔锗锭需为定向结晶的多晶或准单晶,晶粒尺寸均匀(通常≥5mm),无明显裂纹、缩孔、夹杂等缺陷。外观与尺寸:银灰色金属光泽,表面无氧化斑、油污,截面呈梯形或矩形,长度通常为 300~600mm,直径 / 宽度根据应用定制。其他应用
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化学杂质:重点控制 O、C、Fe、Cu、Ni、Si 等杂质,其中 O 含量需≤5ppm(避免影响晶体导电性),重金属杂质≤0.1ppm。红外光学领域:高纯度锗锭经切片、抛光后,制成红外光学镜片、窗口材料,具有优异的红外透过率(2~14μm
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光纤通信领域:锗锭加工为锗粉或 GeCl₄,作为光纤芯层的掺杂剂,可提升光纤的折射率和传输性能,是通信光纤的关键原料之一。江苏锦鑫贵金属回收冶炼有限公司(回收热线:18807413813)是一家规模较大、资金雄厚的贵金属物资回收公司。面向全
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外观与尺寸:银灰色金属光泽,表面无氧化斑、油污,截面呈梯形或矩形,长度通常为 300~600mm,直径 / 宽度根据应用定制。红外光学领域:高纯度锗锭经切片、抛光后,制成红外光学镜片、窗口材料,具有优异的红外透过率(2~14μm 波段透过率
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其他应用:低纯度锗锭用于生产锗合金(如锗铜、锗铝合金),提升材料的强度和耐腐蚀性;高纯锗锭还用于核辐射探测器、半导体掺杂靶材等特种场景。市场需求:随着红外探测、5G 通信、半导体芯片等行业的发展,高纯度区熔锗锭需求持续增长,尤其是 8N 级
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外观与尺寸:银灰色金属光泽,表面无氧化斑、油污,截面呈梯形或矩形,长度通常为 300~600mm,直径 / 宽度根据应用定制。技术趋势:未来将聚焦于 “提升纯度 + 降低成本”,如开发多场耦合区熔技术(电磁 + 温度梯度)、优化熔区参数控制
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纯度等级:核心指标,以 “N” 表示(1N=99%),区熔锗锭主流为 6N~8N,高端半导体应用需 9N 级超高纯锗锭,杂质总量≤0.1ppm。外观与尺寸:银灰色金属光泽,表面无氧化斑、油污,截面呈梯形或矩形,长度通常为 300~600mm
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晶体结构:区熔锗锭需为定向结晶的多晶或准单晶,晶粒尺寸均匀(通常≥5mm),无明显裂纹、缩孔、夹杂等缺陷。其他应用:低纯度锗锭用于生产锗合金(如锗铜、锗铝合金),提升材料的强度和耐腐蚀性;高纯锗锭还用于核辐射探测器、半导体掺杂靶材等特种场景
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外观与尺寸:银灰色金属光泽,表面无氧化斑、油污,截面呈梯形或矩形,长度通常为 300~600mm,直径 / 宽度根据应用定制。其他应用:低纯度锗锭用于生产锗合金(如锗铜、锗铝合金),提升材料的强度和耐腐蚀性;高纯锗锭还用于核辐射探测器、半导
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晶体结构:区熔锗锭需为定向结晶的多晶或准单晶,晶粒尺寸均匀(通常≥5mm),无明显裂纹、缩孔、夹杂等缺陷。红外光学领域:高纯度锗锭经切片、抛光后,制成红外光学镜片、窗口材料,具有优异的红外透过率(2~14μm 波段透过率≥40%),用于红外
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技术趋势:未来将聚焦于 “提升纯度 + 降低成本”,如开发多场耦合区熔技术(电磁 + 温度梯度)、优化熔区参数控制算法,实现 9N 级锗锭的规模化生产;同时,锗资源的回收利用(如从废旧光纤、半导体器件中回收锗)将成为重要发展方向,缓解资源短
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半导体与电子领域:6N 以上区熔锗锭是制备锗单晶的核心原料,进一步加工为锗晶圆,用于制造高速晶体管、光电探测器、红外传感器等,广泛应用于航天、军工、5G 通信等高端场景。其他应用:低纯度锗锭用于生产锗合金(如锗铜、锗铝合金),提升材料的强度
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技术趋势:未来将聚焦于 “提升纯度 + 降低成本”,如开发多场耦合区熔技术(电磁 + 温度梯度)、优化熔区参数控制算法,实现 9N 级锗锭的规模化生产;同时,锗资源的回收利用(如从废旧光纤、半导体器件中回收锗)将成为重要发展方向,缓解资源短