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- 江苏锦鑫贵金属回收冶炼有限公司
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产品信息
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无锡回收锗片，快速上门，诚信估价
2026-02-11 03:49:02 83次浏览
价 格：面议
电学性能：电阻率（25℃时）需符合标准，6N 锗锭电阻率通常为 47~53Ω・cm，纯度越高电阻率越稳定。
资源与产能：锗为稀缺分散元素，全球探明储量约 8600 吨，中国储量占比 41%，是全球的锗生产国（2023 年产能约 105 吨，占全球 70%），主要产区集中在云南、贵州、四川等地。
电子厂：电子厂回收：半导体蓝膜，半导体镀金硅片、镀银瓷片、压敏电阻、薄膜开关，废冷光片，背光源，废银浆、钯浆、擦银布、擦金布，银浆罐、金浆罐、含钯陶瓷片，含金陶瓷片，含银的陶瓷片、银焊条、银焊丝、银粉、导电银胶，镀金，镀银，镀铑镀铂等废料。
原料供给依赖主矿副产品：区熔锗锭原料（粗锗、还原锗粉）主要来自铅锌冶炼副产品及锗矿回收，主矿开采规模、冶炼回收率直接影响原料供应量，进而传导至区熔锗锭价格。
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纯度等级：核心指标，以 “N” 表示（1N=99%），区熔锗锭主流为 6N~8N，高端半导体应用需 9N 级超高纯锗锭，杂质总量≤0.1ppm。电学性能：电阻率（25℃时）需符合标准，6N 锗锭电阻率通常为 47~53Ω・cm，纯度越高电阻26-01-26 13:30:01 -
光纤通信领域：锗锭加工为锗粉或 GeCl₄，作为光纤芯层的掺杂剂，可提升光纤的折射率和传输性能，是通信光纤的关键原料之一。其他应用：低纯度锗锭用于生产锗合金（如锗铜、锗铝合金），提升材料的强度和耐腐蚀性；高纯锗锭还用于核辐射探测器、半导体掺26-01-26 13:27:01 -
化学杂质：重点控制 O、C、Fe、Cu、Ni、Si 等杂质，其中 O 含量需≤5ppm（避免影响晶体导电性），重金属杂质≤0.1ppm。资源与产能：锗为稀缺分散元素，全球探明储量约 8600 吨，中国储量占比 41%，是全球的锗生产国（2026-01-26 13:24:02 -
光纤通信领域：锗锭加工为锗粉或 GeCl₄，作为光纤芯层的掺杂剂，可提升光纤的折射率和传输性能，是通信光纤的关键原料之一。江苏锦鑫贵金属回收冶炼有限公司（回收热线：18807413813）是一家规模较大、资金雄厚的贵金属物资回收公司。面向全26-01-26 13:21:01 -
纯度等级：核心指标，以 “N” 表示（1N=99%），区熔锗锭主流为 6N~8N，高端半导体应用需 9N 级超高纯锗锭，杂质总量≤0.1ppm。市场需求：随着红外探测、5G 通信、半导体芯片等行业的发展，高纯度区熔锗锭需求持续增长，尤其是26-01-26 13:18:01 -
半导体与电子领域：6N 以上区熔锗锭是制备锗单晶的核心原料，进一步加工为锗晶圆，用于制造高速晶体管、光电探测器、红外传感器等，广泛应用于航天、军工、5G 通信等高端场景。首饰厂：抛光打磨粉，地毯，洗手池等废料；印刷厂：印刷废菲林、X光片、定26-01-26 13:15:01 -
晶体结构：区熔锗锭需为定向结晶的多晶或准单晶，晶粒尺寸均匀（通常≥5mm），无明显裂纹、缩孔、夹杂等缺陷。外观与尺寸：银灰色金属光泽，表面无氧化斑、油污，截面呈梯形或矩形，长度通常为 300~600mm，直径 / 宽度根据应用定制。其他应用26-01-26 13:12:01 -
化学杂质：重点控制 O、C、Fe、Cu、Ni、Si 等杂质，其中 O 含量需≤5ppm（避免影响晶体导电性），重金属杂质≤0.1ppm。红外光学领域：高纯度锗锭经切片、抛光后，制成红外光学镜片、窗口材料，具有优异的红外透过率（2~14μm26-01-26 13:09:01 -
光纤通信领域：锗锭加工为锗粉或 GeCl₄，作为光纤芯层的掺杂剂，可提升光纤的折射率和传输性能，是通信光纤的关键原料之一。江苏锦鑫贵金属回收冶炼有限公司（回收热线：18807413813）是一家规模较大、资金雄厚的贵金属物资回收公司。面向全26-01-26 13:06:01 -
外观与尺寸：银灰色金属光泽，表面无氧化斑、油污，截面呈梯形或矩形，长度通常为 300~600mm，直径 / 宽度根据应用定制。红外光学领域：高纯度锗锭经切片、抛光后，制成红外光学镜片、窗口材料，具有优异的红外透过率（2~14μm 波段透过率26-01-26 13:03:01
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其他应用：低纯度锗锭用于生产锗合金（如锗铜、锗铝合金），提升材料的强度和耐腐蚀性；高纯锗锭还用于核辐射探测器、半导体掺杂靶材等特种场景。市场需求：随着红外探测、5G 通信、半导体芯片等行业的发展，高纯度区熔锗锭需求持续增长，尤其是 8N 级26-01-26 13:00:01
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外观与尺寸：银灰色金属光泽，表面无氧化斑、油污，截面呈梯形或矩形，长度通常为 300~600mm，直径 / 宽度根据应用定制。技术趋势：未来将聚焦于 “提升纯度 + 降低成本”，如开发多场耦合区熔技术（电磁 + 温度梯度）、优化熔区参数控制26-01-26 12:57:01 -
纯度等级：核心指标，以 “N” 表示（1N=99%），区熔锗锭主流为 6N~8N，高端半导体应用需 9N 级超高纯锗锭，杂质总量≤0.1ppm。外观与尺寸：银灰色金属光泽，表面无氧化斑、油污，截面呈梯形或矩形，长度通常为 300~600mm26-01-26 12:54:01 -
晶体结构：区熔锗锭需为定向结晶的多晶或准单晶，晶粒尺寸均匀（通常≥5mm），无明显裂纹、缩孔、夹杂等缺陷。其他应用：低纯度锗锭用于生产锗合金（如锗铜、锗铝合金），提升材料的强度和耐腐蚀性；高纯锗锭还用于核辐射探测器、半导体掺杂靶材等特种场景26-01-26 12:51:01 -
外观与尺寸：银灰色金属光泽，表面无氧化斑、油污，截面呈梯形或矩形，长度通常为 300~600mm，直径 / 宽度根据应用定制。其他应用：低纯度锗锭用于生产锗合金（如锗铜、锗铝合金），提升材料的强度和耐腐蚀性；高纯锗锭还用于核辐射探测器、半导26-01-26 12:48:01 -
晶体结构：区熔锗锭需为定向结晶的多晶或准单晶，晶粒尺寸均匀（通常≥5mm），无明显裂纹、缩孔、夹杂等缺陷。红外光学领域：高纯度锗锭经切片、抛光后，制成红外光学镜片、窗口材料，具有优异的红外透过率（2~14μm 波段透过率≥40%），用于红外26-01-26 12:45:01
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技术趋势：未来将聚焦于 “提升纯度 + 降低成本”，如开发多场耦合区熔技术（电磁 + 温度梯度）、优化熔区参数控制算法，实现 9N 级锗锭的规模化生产；同时，锗资源的回收利用（如从废旧光纤、半导体器件中回收锗）将成为重要发展方向，缓解资源短26-01-26 12:42:01 -
半导体与电子领域：6N 以上区熔锗锭是制备锗单晶的核心原料，进一步加工为锗晶圆，用于制造高速晶体管、光电探测器、红外传感器等，广泛应用于航天、军工、5G 通信等高端场景。其他应用：低纯度锗锭用于生产锗合金（如锗铜、锗铝合金），提升材料的强度26-01-26 12:39:01 -
技术趋势：未来将聚焦于 “提升纯度 + 降低成本”，如开发多场耦合区熔技术（电磁 + 温度梯度）、优化熔区参数控制算法，实现 9N 级锗锭的规模化生产；同时，锗资源的回收利用（如从废旧光纤、半导体器件中回收锗）将成为重要发展方向，缓解资源短26-01-26 12:36:01 -
其他应用：低纯度锗锭用于生产锗合金（如锗铜、锗铝合金），提升材料的强度和耐腐蚀性；高纯锗锭还用于核辐射探测器、半导体掺杂靶材等特种场景。市场需求：随着红外探测、5G 通信、半导体芯片等行业的发展，高纯度区熔锗锭需求持续增长，尤其是 8N 级26-01-26 12:33:01