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- 江苏锦鑫贵金属回收冶炼有限公司
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产品信息
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昆山金属锗回收，科学处理，环保再利用
2026-01-27 08:37:01 26次浏览
价 格：面议
半导体与电子领域：6N 以上区熔锗锭是制备锗单晶的核心原料，进一步加工为锗晶圆，用于制造高速晶体管、光电探测器、红外传感器等，广泛应用于航天、军工、5G 通信等高端场景。
首饰厂：抛光打磨粉，地毯，洗手池等废料；
印刷厂：印刷废菲林、X光片、定影水；
化工石油厂：钯，铂，铑，钌催化剂等。
小金属：粗铟，精铟，ito铟靶材，粗镓，金属镓99.99以及废料。高价回收镍片，铣刀， 数控刀片， 轻质数控刀，废合金针，针尖，铟.铟丝.氧化铟.
全球资源分布集中：锗在地壳中含量仅 0.0007%，难以独立成矿，主要伴生于铅锌矿、煤矿等，全球已探明储量仅 8600 吨，中国（41%）、美国（45%）为主要储量国。资源的稀散属性导致原料供给天然受限，直接推高上游开采与初级提纯成本。
原料供给依赖主矿副产品：区熔锗锭原料（粗锗、还原锗粉）主要来自铅锌冶炼副产品及锗矿回收，主矿开采规模、冶炼回收率直接影响原料供应量，进而传导至区熔锗锭价格。
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含贵金属钯废液中贵金属钯的存在形态主要为Pd(Ⅳ)与Pd(Ⅱ)氧化态的贵金属钯'其传统的分离与富集方法是氯贵金属钯酸铵积淀法与二氯二氨络亚贵金属钯法。氯贵金属钯酸铵积淀法是利用Pd(Ⅳ)化合物能够与氯化铵作用生成难溶的(NH4)2PdCl623-03-28 07:57:01 -
纯度等级：核心指标，以 “N” 表示（1N=99%），区熔锗锭主流为 6N~8N，高端半导体应用需 9N 级超高纯锗锭，杂质总量≤0.1ppm。电学性能：电阻率（25℃时）需符合标准，6N 锗锭电阻率通常为 47~53Ω・cm，纯度越高电阻26-01-26 13:30:01 -
光纤通信领域：锗锭加工为锗粉或 GeCl₄，作为光纤芯层的掺杂剂，可提升光纤的折射率和传输性能，是通信光纤的关键原料之一。其他应用：低纯度锗锭用于生产锗合金（如锗铜、锗铝合金），提升材料的强度和耐腐蚀性；高纯锗锭还用于核辐射探测器、半导体掺26-01-26 13:27:01 -
化学杂质：重点控制 O、C、Fe、Cu、Ni、Si 等杂质，其中 O 含量需≤5ppm（避免影响晶体导电性），重金属杂质≤0.1ppm。资源与产能：锗为稀缺分散元素，全球探明储量约 8600 吨，中国储量占比 41%，是全球的锗生产国（2026-01-26 13:24:02 -
光纤通信领域：锗锭加工为锗粉或 GeCl₄，作为光纤芯层的掺杂剂，可提升光纤的折射率和传输性能，是通信光纤的关键原料之一。江苏锦鑫贵金属回收冶炼有限公司（回收热线：18807413813）是一家规模较大、资金雄厚的贵金属物资回收公司。面向全26-01-26 13:21:01 -
纯度等级：核心指标，以 “N” 表示（1N=99%），区熔锗锭主流为 6N~8N，高端半导体应用需 9N 级超高纯锗锭，杂质总量≤0.1ppm。市场需求：随着红外探测、5G 通信、半导体芯片等行业的发展，高纯度区熔锗锭需求持续增长，尤其是26-01-26 13:18:01 -
半导体与电子领域：6N 以上区熔锗锭是制备锗单晶的核心原料，进一步加工为锗晶圆，用于制造高速晶体管、光电探测器、红外传感器等，广泛应用于航天、军工、5G 通信等高端场景。首饰厂：抛光打磨粉，地毯，洗手池等废料；印刷厂：印刷废菲林、X光片、定26-01-26 13:15:01 -
晶体结构：区熔锗锭需为定向结晶的多晶或准单晶，晶粒尺寸均匀（通常≥5mm），无明显裂纹、缩孔、夹杂等缺陷。外观与尺寸：银灰色金属光泽，表面无氧化斑、油污，截面呈梯形或矩形，长度通常为 300~600mm，直径 / 宽度根据应用定制。其他应用26-01-26 13:12:01 -
化学杂质：重点控制 O、C、Fe、Cu、Ni、Si 等杂质，其中 O 含量需≤5ppm（避免影响晶体导电性），重金属杂质≤0.1ppm。红外光学领域：高纯度锗锭经切片、抛光后，制成红外光学镜片、窗口材料，具有优异的红外透过率（2~14μm26-01-26 13:09:01 -
光纤通信领域：锗锭加工为锗粉或 GeCl₄，作为光纤芯层的掺杂剂，可提升光纤的折射率和传输性能，是通信光纤的关键原料之一。江苏锦鑫贵金属回收冶炼有限公司（回收热线：18807413813）是一家规模较大、资金雄厚的贵金属物资回收公司。面向全26-01-26 13:06:01 -
外观与尺寸：银灰色金属光泽，表面无氧化斑、油污，截面呈梯形或矩形，长度通常为 300~600mm，直径 / 宽度根据应用定制。红外光学领域：高纯度锗锭经切片、抛光后，制成红外光学镜片、窗口材料，具有优异的红外透过率（2~14μm 波段透过率26-01-26 13:03:01
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其他应用：低纯度锗锭用于生产锗合金（如锗铜、锗铝合金），提升材料的强度和耐腐蚀性；高纯锗锭还用于核辐射探测器、半导体掺杂靶材等特种场景。市场需求：随着红外探测、5G 通信、半导体芯片等行业的发展，高纯度区熔锗锭需求持续增长，尤其是 8N 级26-01-26 13:00:01
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外观与尺寸：银灰色金属光泽，表面无氧化斑、油污，截面呈梯形或矩形，长度通常为 300~600mm，直径 / 宽度根据应用定制。技术趋势：未来将聚焦于 “提升纯度 + 降低成本”，如开发多场耦合区熔技术（电磁 + 温度梯度）、优化熔区参数控制26-01-26 12:57:01 -
纯度等级：核心指标，以 “N” 表示（1N=99%），区熔锗锭主流为 6N~8N，高端半导体应用需 9N 级超高纯锗锭，杂质总量≤0.1ppm。外观与尺寸：银灰色金属光泽，表面无氧化斑、油污，截面呈梯形或矩形，长度通常为 300~600mm26-01-26 12:54:01 -
晶体结构：区熔锗锭需为定向结晶的多晶或准单晶，晶粒尺寸均匀（通常≥5mm），无明显裂纹、缩孔、夹杂等缺陷。其他应用：低纯度锗锭用于生产锗合金（如锗铜、锗铝合金），提升材料的强度和耐腐蚀性；高纯锗锭还用于核辐射探测器、半导体掺杂靶材等特种场景26-01-26 12:51:01 -
外观与尺寸：银灰色金属光泽，表面无氧化斑、油污，截面呈梯形或矩形，长度通常为 300~600mm，直径 / 宽度根据应用定制。其他应用：低纯度锗锭用于生产锗合金（如锗铜、锗铝合金），提升材料的强度和耐腐蚀性；高纯锗锭还用于核辐射探测器、半导26-01-26 12:48:01 -
晶体结构：区熔锗锭需为定向结晶的多晶或准单晶，晶粒尺寸均匀（通常≥5mm），无明显裂纹、缩孔、夹杂等缺陷。红外光学领域：高纯度锗锭经切片、抛光后，制成红外光学镜片、窗口材料，具有优异的红外透过率（2~14μm 波段透过率≥40%），用于红外26-01-26 12:45:01
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技术趋势：未来将聚焦于 “提升纯度 + 降低成本”，如开发多场耦合区熔技术（电磁 + 温度梯度）、优化熔区参数控制算法，实现 9N 级锗锭的规模化生产；同时，锗资源的回收利用（如从废旧光纤、半导体器件中回收锗）将成为重要发展方向，缓解资源短26-01-26 12:42:01 -
半导体与电子领域：6N 以上区熔锗锭是制备锗单晶的核心原料，进一步加工为锗晶圆，用于制造高速晶体管、光电探测器、红外传感器等，广泛应用于航天、军工、5G 通信等高端场景。其他应用：低纯度锗锭用于生产锗合金（如锗铜、锗铝合金），提升材料的强度26-01-26 12:39:01 -
技术趋势：未来将聚焦于 “提升纯度 + 降低成本”，如开发多场耦合区熔技术（电磁 + 温度梯度）、优化熔区参数控制算法，实现 9N 级锗锭的规模化生产；同时，锗资源的回收利用（如从废旧光纤、半导体器件中回收锗）将成为重要发展方向，缓解资源短26-01-26 12:36:01