无锡银浆银粉回收价格,印刷厂废料回收
2026-01-26 06:23:01 1259次浏览
价 格:面议
含贵金属钯废液中贵金属钯的存在形态主要为Pd(Ⅳ)与Pd(Ⅱ)氧化态的贵金属钯'其传统的分离与富集方法是氯贵金属钯酸铵积淀法与二氯二氨络亚贵金属钯法。氯贵金属钯酸铵积淀法是利用Pd(Ⅳ)化合物能够与氯化铵作用生成难溶的(NH4)2PdCl6积淀,从而使废液中的贵金属钯与废水中的大部分贱金属及某些贵金属分离。由于贵金属钯在氯化物液体中一般以Pd(Ⅱ)存在,因此在积淀前必须向液体中加氧化剂。
废银—锌电池的回收应用 废银锌电池含银52.55%、含锌42.7%。锌为负极,氧化银为正极涂在铜网骨架上。物质再生应用研究所采用稀硫酸分手浸锌和铜,银粉间接熔锭。稀硫酸浸铜时参加氧化剂,含锌液经浓缩结晶消费硫酸锌,含铜液浓缩结晶消费硫酸铜。锌回收率>98%,银回收率98%,银锭纯度>99%。
从废胶片中回收银: 贵金属研究所应用稀硫酸液洗脱彩片上含银乳剂层,氯盐加热沉淀卤化银,氯化培烧或有机溶剂洗涤除有机物,碱性介质用糖类固体悬浮恢复得纯银。银纯度99.9%,直收率98%。此法已要求专利。
废金属和VC混合料再生新技术具体做法是:将混有氯乙烯的废旧金属送入800-900摄氏度的熔化炉内,氯乙烯和金属发生反应,生成金属氯化物、二氧化碳和水。由于氯完全和金属发生反应,从而不会产生剧毒物质二恶英。 利用不同金属氯化物气化时的温度差可以按照种类回收金属。在实验炉阶段进行的实验结果表明,97%的锌和铅、95%的铁都可以得到回收。
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纯度等级:核心指标,以 “N” 表示(1N=99%),区熔锗锭主流为 6N~8N,高端半导体应用需 9N 级超高纯锗锭,杂质总量≤0.1ppm。电学性能:电阻率(25℃时)需符合标准,6N 锗锭电阻率通常为 47~53Ω・cm,纯度越高电阻
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光纤通信领域:锗锭加工为锗粉或 GeCl₄,作为光纤芯层的掺杂剂,可提升光纤的折射率和传输性能,是通信光纤的关键原料之一。其他应用:低纯度锗锭用于生产锗合金(如锗铜、锗铝合金),提升材料的强度和耐腐蚀性;高纯锗锭还用于核辐射探测器、半导体掺
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化学杂质:重点控制 O、C、Fe、Cu、Ni、Si 等杂质,其中 O 含量需≤5ppm(避免影响晶体导电性),重金属杂质≤0.1ppm。资源与产能:锗为稀缺分散元素,全球探明储量约 8600 吨,中国储量占比 41%,是全球的锗生产国(20
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光纤通信领域:锗锭加工为锗粉或 GeCl₄,作为光纤芯层的掺杂剂,可提升光纤的折射率和传输性能,是通信光纤的关键原料之一。江苏锦鑫贵金属回收冶炼有限公司(回收热线:18807413813)是一家规模较大、资金雄厚的贵金属物资回收公司。面向全
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纯度等级:核心指标,以 “N” 表示(1N=99%),区熔锗锭主流为 6N~8N,高端半导体应用需 9N 级超高纯锗锭,杂质总量≤0.1ppm。市场需求:随着红外探测、5G 通信、半导体芯片等行业的发展,高纯度区熔锗锭需求持续增长,尤其是
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半导体与电子领域:6N 以上区熔锗锭是制备锗单晶的核心原料,进一步加工为锗晶圆,用于制造高速晶体管、光电探测器、红外传感器等,广泛应用于航天、军工、5G 通信等高端场景。首饰厂:抛光打磨粉,地毯,洗手池等废料;印刷厂:印刷废菲林、X光片、定
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晶体结构:区熔锗锭需为定向结晶的多晶或准单晶,晶粒尺寸均匀(通常≥5mm),无明显裂纹、缩孔、夹杂等缺陷。外观与尺寸:银灰色金属光泽,表面无氧化斑、油污,截面呈梯形或矩形,长度通常为 300~600mm,直径 / 宽度根据应用定制。其他应用
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化学杂质:重点控制 O、C、Fe、Cu、Ni、Si 等杂质,其中 O 含量需≤5ppm(避免影响晶体导电性),重金属杂质≤0.1ppm。红外光学领域:高纯度锗锭经切片、抛光后,制成红外光学镜片、窗口材料,具有优异的红外透过率(2~14μm
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光纤通信领域:锗锭加工为锗粉或 GeCl₄,作为光纤芯层的掺杂剂,可提升光纤的折射率和传输性能,是通信光纤的关键原料之一。江苏锦鑫贵金属回收冶炼有限公司(回收热线:18807413813)是一家规模较大、资金雄厚的贵金属物资回收公司。面向全
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外观与尺寸:银灰色金属光泽,表面无氧化斑、油污,截面呈梯形或矩形,长度通常为 300~600mm,直径 / 宽度根据应用定制。红外光学领域:高纯度锗锭经切片、抛光后,制成红外光学镜片、窗口材料,具有优异的红外透过率(2~14μm 波段透过率
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其他应用:低纯度锗锭用于生产锗合金(如锗铜、锗铝合金),提升材料的强度和耐腐蚀性;高纯锗锭还用于核辐射探测器、半导体掺杂靶材等特种场景。市场需求:随着红外探测、5G 通信、半导体芯片等行业的发展,高纯度区熔锗锭需求持续增长,尤其是 8N 级
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外观与尺寸:银灰色金属光泽,表面无氧化斑、油污,截面呈梯形或矩形,长度通常为 300~600mm,直径 / 宽度根据应用定制。技术趋势:未来将聚焦于 “提升纯度 + 降低成本”,如开发多场耦合区熔技术(电磁 + 温度梯度)、优化熔区参数控制
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纯度等级:核心指标,以 “N” 表示(1N=99%),区熔锗锭主流为 6N~8N,高端半导体应用需 9N 级超高纯锗锭,杂质总量≤0.1ppm。外观与尺寸:银灰色金属光泽,表面无氧化斑、油污,截面呈梯形或矩形,长度通常为 300~600mm
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晶体结构:区熔锗锭需为定向结晶的多晶或准单晶,晶粒尺寸均匀(通常≥5mm),无明显裂纹、缩孔、夹杂等缺陷。其他应用:低纯度锗锭用于生产锗合金(如锗铜、锗铝合金),提升材料的强度和耐腐蚀性;高纯锗锭还用于核辐射探测器、半导体掺杂靶材等特种场景
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外观与尺寸:银灰色金属光泽,表面无氧化斑、油污,截面呈梯形或矩形,长度通常为 300~600mm,直径 / 宽度根据应用定制。其他应用:低纯度锗锭用于生产锗合金(如锗铜、锗铝合金),提升材料的强度和耐腐蚀性;高纯锗锭还用于核辐射探测器、半导
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晶体结构:区熔锗锭需为定向结晶的多晶或准单晶,晶粒尺寸均匀(通常≥5mm),无明显裂纹、缩孔、夹杂等缺陷。红外光学领域:高纯度锗锭经切片、抛光后,制成红外光学镜片、窗口材料,具有优异的红外透过率(2~14μm 波段透过率≥40%),用于红外
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技术趋势:未来将聚焦于 “提升纯度 + 降低成本”,如开发多场耦合区熔技术(电磁 + 温度梯度)、优化熔区参数控制算法,实现 9N 级锗锭的规模化生产;同时,锗资源的回收利用(如从废旧光纤、半导体器件中回收锗)将成为重要发展方向,缓解资源短
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半导体与电子领域:6N 以上区熔锗锭是制备锗单晶的核心原料,进一步加工为锗晶圆,用于制造高速晶体管、光电探测器、红外传感器等,广泛应用于航天、军工、5G 通信等高端场景。其他应用:低纯度锗锭用于生产锗合金(如锗铜、锗铝合金),提升材料的强度
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技术趋势:未来将聚焦于 “提升纯度 + 降低成本”,如开发多场耦合区熔技术(电磁 + 温度梯度)、优化熔区参数控制算法,实现 9N 级锗锭的规模化生产;同时,锗资源的回收利用(如从废旧光纤、半导体器件中回收锗)将成为重要发展方向,缓解资源短
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其他应用:低纯度锗锭用于生产锗合金(如锗铜、锗铝合金),提升材料的强度和耐腐蚀性;高纯锗锭还用于核辐射探测器、半导体掺杂靶材等特种场景。市场需求:随着红外探测、5G 通信、半导体芯片等行业的发展,高纯度区熔锗锭需求持续增长,尤其是 8N 级